Ce este MOCVD
MOCVD, sau depunerea chimică în fază de vapori a compușilor organometalici, este o tehnică utilizată în industria iluminatului pentru depunerea de filme subțiri de materiale pe un substrat. Acest proces implică utilizarea unor precursori organometalici, care sunt încălziți într-o cameră de reacție pentru a produce vapori. Vaporii rezultați reacționează apoi cu un substrat semiconductor, ducând la formarea unui film subțire. MOCVD se desfășoară în condiții atent controlate, care includ un control precis asupra temperaturii, presiunii și debitelor de gaz.
S-ar putea să vă intereseze și
- Senzor de prezență PIR cu montaj pe tavan și ieșire de releu cu contact uscat
- Alimentare de joasă tensiune de 12/24VDC sau 12/24VAC
- Contacte de releu izolate COM, NO și NC pentru intrări de control al sistemelor EMS, HVAC și al clădirilor
- Întrerupător cu senzor de mișcare cu microunde încastrat în tavan, de joasă tensiune DC
- Intrare de 12 VDC / 24 VDC cu un interval cuprins între 10-30 VDC
- Curent de lucru maxim de 10A cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate ajustabile
- Întrerupător cu senzor de mișcare cu microunde încastrat în tavan, pentru sarcini mai mari
- Intrare la tensiunea rețelei de 100-265 VAC, model de 10A
- Detectare cu microunde de 5.8 GHz cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate ajustabile
- Întrerupător încastrat pentru plafon cu senzor de mișcare cu microunde
- Tensiune de intrare 100-265 VAC, model de 5A
- Detectare cu microunde de 5.8 GHz cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate ajustabile
- Variator cu senzor de prezență PIR RZ037 pentru plafon, pentru alimentare la 220V
- Curent maxim de lucru de 3A cu sarcină nominală de 660W
- Butonul LUX controlează funcția ON/OFF a senzorului de lumină și luminozitatea setată de utilizator
- Variator cu senzor de prezență PIR RZ037 pentru plafon, pentru alimentare la 110V
- Curent maxim de lucru de 3A cu sarcină nominală de 330W
- Butonul LUX controlează funcția ON/OFF a senzorului de lumină și luminozitatea setată de utilizator
- Întrerupător cu senzor de mișcare cu microunde pentru plafon, de joasă tensiune C.C.
- Intrare de 12 VDC / 24 VDC cu un interval cuprins între 10-30 VDC
- Curent de lucru maxim de 10A cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate ajustabile
- Întrerupător cu senzor de mișcare cu microunde pentru plafon, pentru sarcini mai mari
- Intrare la tensiunea rețelei de 100-265 VAC, model de 10A
- Detectare cu microunde de 5.8 GHz cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate ajustabile
- Întrerupător cu senzor de mișcare cu microunde pentru plafon
- Tensiune de intrare 100-265 VAC, model de 5A
- Detectare cu microunde de 5.8 GHz cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate ajustabile
- Întrerupător cu senzor de mișcare PIR încastrat în tavan, CC de joasă tensiune
- Intrare de 12 VDC / 24 VDC cu un interval cuprins între 10-30 VDC
- Curent maxim de lucru 10A cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate
- Întrerupător cu senzor de mișcare PIR încastrat în tavan pentru sarcini mai mari
- Intrare la tensiunea rețelei de 100-265 VAC, model de 10A
- Detecție la 360 de grade cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate
- Întrerupător cu senzor de mișcare PIR încastrat în tavan
- Tensiune de intrare 100-265 VAC, model de 5A
- Detecție la 360 de grade cu temporizare reglabilă, prag Lux și sensibilitate
- Kit de întrerupător și receptor wireless pentru controlul iluminatului de interior PORNIT/OPRIT
- Receptor 100-230VAC, 50/60Hz cu curent nominal de 5A
- Întrerupător wireless alimentat cu baterie CR2032 cu comunicare la 2.4GHz
- Prezență (PORNIRE automată/OPRIRE automată)
- 12–24V CC (10–30VCC), până la 10A
- Acoperire 360°, diametru 8–12 m
- Temporizare 15 s–30 min
- Senzor de lumină Oprit/15/25/35 Lux
- Sensibilitate ridicată/scăzută
- Mod de prezență Auto-ON/Auto-OFF
- 100–265V AC, 10A (necesită nul)
- Acoperire 360°; diametru de detecție 8–12 m
- Temporizare 15 s–30 min; Lux OFF/15/25/35; Sensibilitate ridicată/scăzută
- Mod de prezență Auto-ON/Auto-OFF
- 100–265V AC, 5A (necesită nul)
- Acoperire 360°; diametru de detecție 8–12 m
- Temporizare 15 s–30 min; Lux OFF/15/25/35; Sensibilitate ridicată/scăzută
- 100V-230VAC
- Distanță de transmisie: până la 20 m
- Senzor de mișcare wireless
- Control prin cablu
Întrebări frecvente
Cum funcționează MOCVD
În procesul MOCVD, o plachetă (wafer) încălzită este expusă unui flux de gaz ce conține ‘precursori’, cum ar fi trimethylgallium și amoniac (TMGa, NH3). Acești precursori se descompun la încălzire, de regulă la temperaturi cuprinse între 400°C și 1300°C, în funcție de materialul care urmează să fie depus.
Care este diferența dintre CVD și MOCVD
Depunerea chimică în fază de vapori a compușilor organometalici (MOCVD) este o versiune modificată a depunerii chimice în fază de vapori (CVD) [22,23]. Aceasta este utilizată pentru a produce filme subțiri semiconductoare cristaline de înaltă puritate și structuri micro/nano.
Care este diferența dintre MOCVD și MOVPE
MOCVD, denumită și MOVPE sau OMVPE, este o metodă utilizată la scară largă pentru creșterea materialelor semiconductoare din grupul III-V pe un substrat de siliciu.
Care sunt avantajele MOCVD
Pe lângă capacitatea sa de a realiza o fabricație de înaltă precizie, MOCVD oferă avantajul depunerii de filme subțiri în volume mari. Această capacitate de producție la scară largă este mai precisă în comparație cu alte metode. În plus, MOCVD este un proces flexibil, ceea ce îl face o alegere mai economică în comparație cu procesele alternative.
Cât costă MOCVD
Numeroase companii oferă subvenții cuprinse între 8 și 10 milioane de yuani (aproximativ $1.2 până la $1.5 milioane) pentru achiziționarea de reactoare MOCVD. Aceste reactoare, care aparțin ultimei generații de sisteme de capacitate mare, costă de obicei în jur de $2.5 milioane fiecare.
Cine a inventat MOCVD
Inventată în cadrul companiei Rockwell International de către Harold Manasevit, tehnologia MOCVD a fost pregătită pentru explorare și dezvoltare ulterioară când Russell Dupuis s-a alăturat companiei în 1975.
Ce este un bubbler în MOCVD
Un bubbler în MOCVD se referă la un cilindru care este parte integrantă a sistemului de depunere chimică în fază de vapori a compușilor organometalici (MOCVD). Aceste dispozitive sunt concepute special pentru a transporta compuși organometalici de puritate electronică dintr-un precursor lichid sau solid într-o formă de vapori ce poate fi utilizată în proces.
Care este rata de creștere a MOCVD
Ratele tipice de creștere pentru filmele de GaN obținute prin depunere chimică în fază de vapori a compușilor organometalici (MOCVD) cu mobilități ridicate variază între 2 și 3 μm pe oră.
Care sunt avantajele MOCVD față de MBE
MBE este cunoscută pentru precizia sa ridicată, însă vine cu un preț ridicat și necesită un vid ultra-înalt. Pe de altă parte, MOCVD este o opțiune mai rentabilă, care funcționează sub presiune. Cu toate acestea, este important de menționat că MOCVD poate să nu ofere același nivel de precizie ca MBE. În cele din urmă, alegerea dintre cele două tehnici ar trebui să se bazeze pe cerințele specifice ale aplicației și pe nivelul dorit de control asupra straturilor acoperite.
