O que é a MOCVD

No processo MOCVD, uma bolacha aquecida é exposta a um fluxo de gás que contém ‘precursores’, tais como trimetilgálio e amoníaco (TMGa, NH3). Estes precursores decompõem-se quando aquecidos, tipicamente a temperaturas que variam entre 400°C e 1300°C, dependendo do material a depositar.

A Deposição Química em Fase de Vapor por Compostos Metalorgânicos (MOCVD) é uma versão modificada da deposição química em fase de vapor (CVD) [22,23]. É utilizada para produzir películas finas semicondutoras cristalinas de elevada pureza e estruturas micro/nano.

A MOCVD, também designada por MOVPE ou OMVPE, é um método amplamente utilizado para fazer crescer materiais semicondutores do grupo III-V num substrato de silício.

Além da sua capacidade para alcançar um fabrico de alta precisão, a MOCVD oferece a vantagem de depositar películas finas em grandes volumes. Esta capacidade de produção em larga escala é mais precisa em comparação com outros métodos. Além disso, a MOCVD é um processo flexível, tornando-se uma escolha mais económica quando comparada com processos alternativos.

Muitas empresas concedem subsídios entre 8 e 10 milhões de yuan (aproximadamente $1.2 a $1.5 milhões) para a aquisição de reatores MOCVD. Estes reatores, que pertencem à mais recente geração de sistemas de alta capacidade, custam tipicamente cerca de $2.5 milhões cada.

Inventada na empresa Rockwell International por Harold Manasevit, a MOCVD ficou pronta para exploração e avanço adicionais quando Russell Dupuis passou a integrar a empresa em 1975.

Um bubbler (borbulhador) em MOCVD refere-se a um cilindro que é parte integrante do sistema de deposição química em fase de vapor por compostos metalorgânicos (MOCVD). Estes dispositivos são especificamente concebidos para transportar compostos metalorgânicos de grau eletrónico, a partir de um precursor líquido ou sólido, para uma forma de vapor que possa ser utilizada no processo.

As taxas de crescimento típicas para películas de GaN por deposição química em fase de vapor por compostos metalorgânicos (MOCVD) com elevadas mobilidades variam entre 2 e 3 μm por hora.

A MBE é conhecida pela sua elevada precisão, mas apresenta um custo elevado e exige um vácuo ultra-elevado. Por outro lado, a MOCVD é uma opção mais económica que opera sob pressão. No entanto, é importante notar que a MOCVD pode não oferecer o mesmo nível de precisão que a MBE. Em última análise, a escolha entre as duas técnicas deve basear-se nos requisitos específicos da aplicação e no nível de controlo pretendido sobre as camadas revestidas.