Vad är MOCVD
MOCVD, eller organometallisk kemisk ångdeposition, är en teknik som används inom belysningsindustrin för att deponera tunna skikt av material på ett substrat. Denna process innefattar användning av organometalliska prekursorer, som hettas upp i en reaktorkammare för att bilda en ånga. Den reulterande ångan reagerar sedan med ett halvledarsubstrat, vilket leder till att ett tunt skikt bildas. MOCVD utförs under noggrant kontrollerade förhållanden, inklusive precis kontroll över temperatur, tryck och gasflödeshastigheter.
Du kanske också är intresserad av
- Spänning: 2 AAA-batterier
- Dag-/nattläge
- Tidsfördröjning: 15 min, 30 min, 1 tim (standard), 2 tim
- Takmonterad PIR-närvarosensor med reläutgång för potentialfri kontakt
- 12/24VDC eller 12/24VAC lågspänningsförsörjning
- Isolerade reläkontakter (COM, NO och NC) för styringångar till EMS, VVS och fastighetsautomation
- Lågspänningsdriven (DC) infälld mikrovågsrörelsevakt för tak montering
- 12 VDC / 24 VDC-ingång med ett driftsområde på 10–30 VDC
- Maximal arbetsström på 10A med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Infälld mikrovågsrörelsevakt för tak avsedd för högre belastning
- 100–265 VAC nätspänningsingång, 10A-modell
- 5,8 GHz mikrovågsdetektering med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Infälld takmonterad mikrovågsrörelsesensorbrytare
- 100–265 VAC nätspänningsingång, 5A-modell
- 5,8 GHz mikrovågsdetektering med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Takmonterad RZ037 PIR-närvarosensordimmer för 220V-ström
- 3A maximal arbetsström med 660W märkeffekt
- LUX-knapp styr ljussensor PÅ/AV och användarinställd dimringsnivå
- Takmonterad RZ037 PIR-närvarosensordimmer för 110V-ström
- 3A maximal arbetsström med 330W märkeffekt
- LUX-knapp styr ljussensor PÅ/AV och användarinställd dimringsnivå
- Lågspännings-DC takmonterad mikrovågsrörelsesensorbrytare
- 12 VDC / 24 VDC-ingång med ett driftsområde på 10–30 VDC
- Maximal arbetsström på 10A med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Takmonterad mikrovågsrörelsesensorbrytare för högre belastning
- 100–265 VAC nätspänningsingång, 10A-modell
- 5,8 GHz mikrovågsdetektering med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Takmonterad mikrovågsrörelsesensorbrytare
- 100–265 VAC nätspänningsingång, 5A-modell
- 5,8 GHz mikrovågsdetektering med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Lågspännings-DC infälld takmonterad PIR-rörelsesensorströmbrytare
- 12 VDC / 24 VDC-ingång med ett driftsområde på 10–30 VDC
- Max arbetsström 10A med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Infälld takmonterad PIR-rörelsesensorströmbrytare för högre belastning
- 100–265 VAC nätspänningsingång, 10A-modell
- 360-graders detektering med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Infälld takmonterad PIR-rörelsesensorströmbrytare
- 100–265 VAC nätspänningsingång, 5A-modell
- 360-graders detektering med inställbar tidsfördröjning, Lux-tröskelvärde och känslighet
- Trådlöst strömbrytar- och mottagarkit för inomhus belysningsstyrning ON/OFF
- 100-230VAC, 50/60Hz-mottagare med 5A märkström
- CR2032-driven trådlös strömbrytare med 2,4GHz-kommunikation
- Närvaro (Auto-ON/Auto-OFF)
- 12–24V DC (10–30VDC), upp till 10A
- 360° täckning, 8–12 m diameter
- Tidsfördröjning 15 s–30 min
- Ljussensor Off/15/25/35 Lux
- Hög/Låg känslighet
- Automatisk På/Automatisk Av närvaroläge
- 100–265V AC, 10A (nolla krävs)
- 360° täckning; 8–12 m detekteringsdiameter
- Tidsfördröjning 15 s–30 min; Lux AV/15/25/35; Känslighet Hög/Låg
- Automatisk På/Automatisk Av närvaroläge
- 100–265V AC, 5A (nolla krävs)
- 360° täckning; 8–12 m detekteringsdiameter
- Tidsfördröjning 15 s–30 min; Lux AV/15/25/35; Känslighet Hög/Låg
Vanliga frågor
Hur fungerar MOCVD
I MOCVD-processen utsätts en upphettad kiselbricka (wafer) för en gasström som innehåller ‘prekursorer’ som trimethylgallium och ammoniak (TMGa, NH3). Dessa prekursorer sönderfaller när de hettas upp, vanligtvis vid temperaturer från 400°C till 1300°C beroende på vilket material som ska deponeras.
Vad är skillnaden mellan CVD och MOCVD
Organometallisk kemisk ångdeposition (MOCVD) är en modifierad version av kemisk ångdeposition (CVD) [22,23]. Den används för att framställa kristallina halvledande tunnfilmer och mikro/nanostrukturer med hög renhet.
Vad är skillnaden mellan MOCVD och MOVPE
MOCVD, även kallat MOVPE eller OMVPE, är en allmänt använd metod för att odla halvledarmaterial från grupp III-V på ett kiselsubstrat.
Vad är fördelarna med MOCVD
Utöver sin förmåga att uppnå högprecisionstillverkning erbjuder MOCVD fördelen att deponera tunna skikt i höga volymer. Denna storskaliga produktionskapacitet är mer exakt jämfört med andra metoder. Dessutom är MOCVD en flexibel process, vilket gör den till ett mer ekonomiskt val i jämförelse med alternativa processer.
Hur mycket kostar MOCVD
Många företag tillhandahåller subventioner på mellan 8 och 10 miljoner yuan (cirka $1.2 till $1.5 miljoner) för inköp av MOCVD-reaktorer. Dessa reaktorer, som tillhör den senaste generationen av högkapacitetssystem, kostar vanligtvis omkring $2.5 miljoner styck.
Vem uppfann MOCVD
MOCVD uppfanns på företaget Rockwell International av Harold Manasevit och var redo för vidare utforskning och utveckling när Russell Dupuis blev en del av företaget 1975.
Vad är en bubblare i MOCVD
En bubblare inom MOCVD syftar på en cylinder som utgör en integrerad del av MOCVD-systemet (organometallisk kemisk ångdeposition). Dessa enheter är särskilt utformade för att transportera organometalliska föreningar av elektronikkvalitet från en flytande eller fast prekursor till ångform som kan användas i processen.
Vad är tillväxthastigheten för MOCVD
Typiska tillväxthastigheter för GaN-filmer med hög rörlighet framställda genom organometallisk kemisk ångdeposition (MOCVD) sträcker sig från 2 till 3 μm per timme.
Vad är fördelarna med MOCVD jämfört med MBE
MBE är känt för sin höga precision, men har en hög prislapp och kräver ultrahögt vakuum. Å andra sidan är MOCVD ett mer kostnadseffektivt alternativ som arbetar under tryck. Det är dock viktigt att notera att MOCVD kanske inte erbjuder samma precisionsnivå som MBE. Slutligen bör valet mellan de två teknikerna baseras på de specifika kraven för applikationen och önskad kontrollnivå över de belagda skikten.
