Apa itu MOCVD

Dalam proses MOCVD, wafer yang dipanaskan terpapar pada aliran gas yang mengandung 'prekursor' seperti trimetilgalium dan amonia (TMGa, NH3). Prekursor ini terurai ketika dipanaskan, biasanya pada suhu mulai dari 400 ° C hingga 1300 ° C tergantung pada bahan yang akan disimpan.

Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) adalah versi modifikasi dari deposisi uap kimia (CVD) [22,23]. Metode ini digunakan untuk menghasilkan film tipis semikonduktor kristal dengan kemurnian tinggi dan struktur mikro/nano.

MOCVD, juga disebut sebagai MOVPE atau OMVPE, adalah metode yang banyak digunakan untuk menumbuhkan bahan semikonduktor kelompok III-V pada substrat silikon.

Selain kemampuannya untuk mencapai produksi dengan presisi tinggi, MOCVD juga menawarkan keuntungan dalam mendepositkan film tipis dalam volume tinggi. Kemampuan produksi skala besar ini lebih akurat dibandingkan dengan metode lainnya. Selain itu, MOCVD adalah proses yang fleksibel, menjadikannya pilihan yang lebih ekonomis jika dibandingkan dengan proses alternatif.

Banyak perusahaan memberikan subsidi mulai dari 8-10 juta yuan (sekitar $1.2 hingga $1.5 juta) untuk pembelian reaktor MOCVD. Reaktor-reaktor ini, yang termasuk dalam sistem berkapasitas tinggi generasi terbaru, biasanya berharga sekitar $2,5 juta.

Diciptakan di perusahaan Rockwell International oleh Harold Manasevit, MOCVD siap untuk eksplorasi dan pengembangan lebih lanjut ketika Russell Dupuis menjadi bagian dari perusahaan tersebut pada tahun 1975.

Bubbler dalam MOCVD mengacu pada silinder yang merupakan bagian integral dari sistem deposisi uap kimia organik logam (MOCVD). Perangkat ini dirancang khusus untuk mengangkut senyawa metalorganik kelas elektronik dari prekursor cair atau padat ke dalam bentuk uap yang dapat digunakan dalam proses.

Laju pertumbuhan tipikal untuk film GaN metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) dengan mobilitas tinggi berkisar antara 2 hingga 3 μm per jam.

MBE dikenal dengan presisi yang tinggi, tetapi memiliki harga yang mahal dan membutuhkan vakum yang sangat tinggi. Di sisi lain, MOCVD adalah opsi yang lebih hemat biaya yang beroperasi di bawah tekanan. Namun, penting untuk dicatat bahwa MOCVD mungkin tidak menawarkan tingkat presisi yang sama dengan MBE. Pada akhirnya, pilihan antara kedua teknik tersebut harus didasarkan pada persyaratan spesifik aplikasi dan tingkat kontrol yang diinginkan atas lapisan yang dilapisi.