Qu'est-ce que le MOCVD ?

Dans le procédé MOCVD, une plaquette chauffée est exposée à un flux de gaz contenant des "précurseurs" tels que le triméthylgallium et l'ammoniac (TMGa, NH3). Ces précurseurs se décomposent lorsqu'ils sont chauffés, généralement à des températures allant de 400°C à 1300°C en fonction du matériau à déposer.

Le dépôt chimique en phase vapeur métallo-organique (MOCVD) est une version modifiée du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) [22,23]. Il est utilisé pour produire des films minces semi-conducteurs cristallins de haute pureté et des micro/nano structures.

La MOCVD, également appelée MOVPE ou OMVPE, est une méthode largement utilisée pour la croissance de matériaux semi-conducteurs du groupe III-V sur un substrat de silicium.

Outre sa capacité à réaliser une fabrication de haute précision, la technique MOCVD offre l'avantage de déposer des couches minces en grandes quantités. Cette capacité de production à grande échelle est plus précise que d'autres méthodes. En outre, la MOCVD est un procédé flexible, ce qui en fait un choix plus économique que les autres procédés.

De nombreuses entreprises accordent des subventions allant de 8 à 10 millions de yuans (environ $1,2 à $1,5 million) pour l'achat de réacteurs MOCVD. Ces réacteurs, qui appartiennent à la dernière génération de systèmes à haute capacité, coûtent généralement environ 1,5 million de yuans chacun.

Inventé par Harold Manasevit au sein de la société Rockwell International, le procédé MOCVD était prêt à être exploré et perfectionné lorsque Russell Dupuis a rejoint la société en 1975.

Un barboteur en MOCVD désigne un cylindre qui fait partie intégrante du système de dépôt chimique organique en phase vapeur (MOCVD). Ces dispositifs sont spécifiquement conçus pour transporter des composés métallo-organiques de qualité électronique d'un précurseur liquide ou solide à une forme de vapeur qui peut être utilisée dans le processus.

Les taux de croissance typiques pour les films GaN de dépôt chimique en phase vapeur métallo-organique (MOCVD) avec des mobilités élevées varient de 2 à 3 μm par heure.

La technique MBE est connue pour sa grande précision, mais elle est très coûteuse et nécessite un vide très poussé. En revanche, la MOCVD est une option plus économique qui fonctionne sous pression. Toutefois, il est important de noter que la MOCVD n'offre pas le même niveau de précision que la MBE. En fin de compte, le choix entre les deux techniques doit être basé sur les exigences spécifiques de l'application et le niveau de contrôle souhaité sur les couches revêtues.