Що таке MOCVD
MOCVD, або металоорганічне хімічне осадження з газової фази — це технологія, що використовується в світлотехнічній промисловості для осадження тонких плівок матеріалів на підкладку. Цей процес передбачає використання металоорганічних прекурсорів, які нагріваються в камері реактора для утворення пари. Отримана пара вступає в реакцію з напівпровідниковою підкладкою, що призводить до формування тонкої плівки. MOCVD здійснюється за ретельно контрольованих умов, включаючи точний контроль температури, тиску та швидкості потоку газу.
Можливо, вас зацікавить
- Напруга: 2 батарейки AAA
- Режим День/Ніч
- Затримка часу: 15 хв, 30 хв, 1 год (за замовчуванням), 2 год
- Стелярний PIR-датчик присутності з виходом реле типу «сухий контакт»
- Низьковольтне живлення 12/24 В постійного струму або 12/24 В змінного струму
- Ізольовані контакти реле COM, NO та NC для систем управління будівлями (EMS), опалення, вентиляції та кондиціонування (HVAC)
- Низьковольтний врізний стельовий мікрохвильовий вимикач із датчиком руху постійного струму
- Вхід 12 В / 24 В постійного струму з діапазоном 10–30 В постійного струму
- Максимальний робочий струм 10A з регульованою затримкою часу, порогом Lux і чутливістю
- Врізний стельовий мікрохвильовий вимикач із датчиком руху для підвищеного навантаження
- Вхідна мережева напруга 100-265 VAC, модель 10A
- Мікрохвильове виявлення 5.8 GHz з регульованою затримкою часу, порогом Lux і чутливістю
- Врізний стельовий мікрохвильовий вимикач із датчиком руху
- Вхідна мережева напруга 100-265 VAC, модель 5A
- Мікрохвильове виявлення 5.8 GHz з регульованою затримкою часу, порогом Lux і чутливістю
- Стельовий димер із PIR-датчиком присутності RZ037 для живлення 220V
- Максимальний робочий струм 3A із номінальним навантаженням 660W
- Кнопка LUX керує увімкненням/вимкненням датчика освітленості та налаштованою користувачем яскравістю димування
- Стельовий PIR-датчик присутній з димером RZ037 для живлення 110V
- Максимальний робочий струм 3A із номінальним навантаженням 330W
- Кнопка LUX керує увімкненням/вимкненням датчика освітленості та налаштованою користувачем яскравістю димування
- Низьковольтний стельовий мікрохвильовий датчик руху постійного струму
- Вхід 12 В / 24 В постійного струму з діапазоном 10–30 В постійного струму
- Максимальний робочий струм 10A з регульованою затримкою часу, порогом Lux і чутливістю
- Стельовий мікрохвильовий датчик руху для підвищеного навантаження
- Вхідна мережева напруга 100-265 VAC, модель 10A
- Мікрохвильове виявлення 5.8 GHz з регульованою затримкою часу, порогом Lux і чутливістю
- Стельовий мікрохвильовий датчик руху
- Вхідна мережева напруга 100-265 VAC, модель 5A
- Мікрохвильове виявлення 5.8 GHz з регульованою затримкою часу, порогом Lux і чутливістю
- Низьковольтний врізний стельовий PIR-датчик руху постійного струму
- Вхід 12 В / 24 В постійного струму з діапазоном 10–30 В постійного струму
- Максимальний робочий струм 10A з регульованою затримкою часу, порогом Lux та чутливістю
- Врізний стельовий PIR-датчик руху для підвищеного навантаження
- Вхідна мережева напруга 100-265 VAC, модель 10A
- Детекція на 360 градусів з регульованою затримкою часу, порогом Lux та чутливістю
- Врізний стельовий вимикач із PIR-датчиком руху
- Вхідна мережева напруга 100-265 VAC, модель 5A
- Детекція на 360 градусів з регульованою затримкою часу, порогом Lux та чутливістю
- Комплект бездротового вимикача та приймача для внутрішнього керування освітленням (УВІМК/ВИМК)
- Приймач 100-230VAC, 50/60Hz із номінальним струмом 5A
- Бездротовий вимикач із живленням від CR2032 та зв'язком 2.4GHz
- Режим присутності (Auto-ON/Auto-OFF)
- 12–24V DC (10–30VDC), до 10A
- Зона охоплення 360°, діаметр 8–12 m
- Затримка часу 15 s–30 min
- Датчик освітленості Off/15/25/35 Lux
- Висока/низька чутливість
- Режим присутності Auto-ON/Auto-OFF (автоматичне увімкнення/вимкнення)
- 100–265V AC, 10A (необхідна нейтраль)
- Зона охоплення 360°; діаметр виявлення 8–12 м
- Затримка часу 15 s–30 min; Lux OFF/15/25/35; чутливість High/Low
- Режим присутності Auto-ON/Auto-OFF (автоматичне увімкнення/вимкнення)
- 100–265V AC, 5A (необхідна нейтраль)
- Зона охоплення 360°; діаметр виявлення 8–12 м
- Затримка часу 15 s–30 min; Lux OFF/15/25/35; чутливість High/Low
Часті запитання
Як працює MOCVD
У процесі MOCVD нагріта пластина піддається впливу газового потоку, що містить ‘прекурсори’, такі як триметилгалій та аміак (TMGa, NH3). Ці прекурсори розкладаються при нагріванні, зазвичай за температур від 400°C до 1300°C залежно від матеріалу, який необхідно осадити.
У чому різниця між CVD та MOCVD
Металоорганічне хімічне осадження з газової фази (MOCVD) є модифікованою версією хімічного осадження з газової фази (CVD) [22,23]. Воно використовується для отримання високочистих кристалічних напівпровідникових тонких плівок і мікро/наноструктур.
У чому різниця між MOCVD та MOVPE
MOCVD, яке також називають MOVPE або OMVPE, є широко використовуваним методом вирощування напівпровідникових матеріалів груп III-V на кремнієвій підкладці.
Які переваги MOCVD
Окрім здатності забезпечувати високоточне виробництво, MOCVD має перевагу осадження тонких плівок у великих обсягах. Ця можливість великомасштабного виробництва є точнішою порівняно з іншими методами. Крім того, MOCVD є гнучким процесом, що робить його більш економічним вибором порівняно з альтернативними технологіями.
Скільки коштує MOCVD
Багато компаній надають субсидії в розмірі 8-10 мільйонів юанів (приблизно від $1.2 до $1.5 мільйона) на придбання реакторів MOCVD. Ці реактори, які належать до останнього покоління високопродуктивних систем, зазвичай коштують близько $2.5 мільйона кожен.
Хто винайшов MOCVD
Винайдений у компанії Rockwell International Гарольдом Манасевітом, метод MOCVD був готовий до подальшого дослідження та вдосконалення, коли Рассел Дупуї приєднався до компанії у 1975 році.
Що таке барботер у MOCVD
Барботер у MOCVD — це циліндр, який є невід'ємною частиною системи металоорганічного хімічного осадження з газової фази (MOCVD). Ці пристрої спеціально розроблені для транспортування металоорганічних сполук електронного класу з рідкого або твердого прекурсора у пароподібну форму, яка може використовуватися у процесі.
Яка швидкість росту MOCVD
Типова швидкість росту для плівок GaN із високою рухливістю, отриманих методом металоорганічного хімічного осадження з газової фази (MOCVD), становить від 2 до 3 мкм на годину.
Які переваги MOCVD порівняно з MBE
MBE відомий своєю високою точністю, але має високу вартість і вимагає надвисокого вакууму. З іншого боку, MOCVD є більш економічно ефективним варіантом, який працює під тиском. Однак важливо зазначити, що MOCVD може не забезпечувати такий самий рівень точності, як MBE. Зрештою, вибір між цими двома методами має ґрунтуватися на конкретних вимогах застосування та бажаному рівні контролю над нанесеними шарами.
