MOCVD nedir
MOCVD veya Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme, aydınlatma endüstrisinde bir alt tabaka üzerine ince malzeme filmleri biriktirmek için kullanılan bir tekniktir. Bu işlem, bir buhar üretmek için bir reaktör odası içinde ısıtılan metal organik öncüllerin kullanılmasını içerir. Ortaya çıkan buhar daha sonra yarı iletken bir alt tabaka ile reaksiyona girerek ince bir film oluşumuna yol açar. MOCVD, sıcaklık, basınç ve gaz akış hızları üzerinde hassas kontrol dahil olmak üzere dikkatle kontrol edilen koşullar altında gerçekleştirilir.
Belki İlginizi Çeker
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Nötr Kablo Gerekli
- ABD 1-Gang duvar kutusuna uyar
- Doluluk modu
- 100V ~ 265V, 5A
- Nötr Kablo Gerekli
- 1600 sq ft
- Gerilim: DC 12v/24v
- Mod: Otomatik / AÇIK / KAPALI
- Zaman Gecikmesi: 15s ~ 900s
- Karartma: 20%~100%
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Nötr Kablo Gerekli
- İngiltere Kare arka kutusuna uyar
- Gerilim: DC 12V
- Uzunluk: 2.5M/6M
- Renk Sıcaklığı: Sıcak/Soğuk Beyaz
- Gerilim: DC 12V
- Uzunluk: 2.5M/6M
- Renk Sıcaklığı: Sıcak/Soğuk Beyaz
- Gerilim: DC 12V
- Uzunluk: 2.5M/6M
- Renk Sıcaklığı: Sıcak/Soğuk Beyaz
- Gerilim: DC 12V
- Uzunluk: 2.5M/6M
- Renk Sıcaklığı: Sıcak/Soğuk Beyaz
- Doluluk modu
- 12V ~ 24V, 5A
- Nötr Kablo Gerekli
- 1600 sq ft
- Gerilim: DC 12v/24v
- Gündüz/Gece Modu
- Zaman gecikmesi: 15 dakika, 30 dakika, 1 saat (varsayılan), 2 saat
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V 5A
- Nötr Kablo Gerekli
- ABD 1-Gang duvar kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Nötr Kablo Gerekli
- ABD 1-Gang duvar kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Nötr Kablo Gerekli
- Avrupa yuvarlak arka kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Sıcak tel, Yük teli gerektirir
- Nötr/Toprak Teli Gerekmez
- ABD 1-Gang duvar kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Nötr/Toprak Teli Gerekmez
- İngiltere kare şilte kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Sıcak Tel, Yük Teli Gerekli
- Nötr/Toprak Teli Gerekmez
- Avrupa yuvarlak arka kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Sıcak tel, Yük teli gerektirir
- Nötr/Toprak Teli Gerekmez
- ABD 1-Gang duvar kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 10A
- Nötr Kablo Gerekli
- ABD 1-Gang duvar kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 5A
- Nötr Kablo Gerekli
- ABD 1-Gang duvar kutusuna uyar
- Doluluk, Boşluk, AÇIK/KAPALI modu
- 100~265V, 10A
- Topraklama Kablosu Gerekli
- ABD 1-Gang duvar kutusuna uyar
Sıkça Sorulan Sorular
MOCVD Nasıl Çalışır?
MOCVD işleminde, ısıtılmış bir gofret trimetilgalyum ve amonyak (TMGa, NH3) gibi 'öncüler' içeren bir gaz akışına maruz bırakılır. Bu öncüller ısıtıldığında, biriktirilecek malzemeye bağlı olarak tipik olarak 400°C ila 1300°C arasında değişen sıcaklıklarda ayrışır.
CVD ve MOCVD Arasındaki Fark Nedir?
Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD), kimyasal buhar biriktirmenin (CVD) değiştirilmiş bir versiyonudur [22,23]. Yüksek saflıkta kristalin yarı iletken ince filmler ve mikro/nano yapılar üretmek için kullanılır.
MOCVD ve MOVPE Arasındaki Fark Nedir?
MOVPE veya OMVPE olarak da adlandırılan MOCVD, silikon bir alt tabaka üzerinde III-V grubu yarı iletken malzemeleri büyütmek için yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir.
MOCVD'nin Avantajları Nelerdir
MOCVD, yüksek hassasiyetli üretim kabiliyetine ek olarak, yüksek hacimlerde ince film biriktirme avantajı sunar. Bu büyük ölçekli üretim kabiliyeti, diğer yöntemlere kıyasla daha doğrudur. Ayrıca, MOCVD esnek bir süreçtir ve alternatif süreçlerle karşılaştırıldığında daha ekonomik bir seçimdir.
MOCVD'nin Maliyeti Ne Kadar?
Birçok şirket MOCVD reaktörlerinin satın alınması için 8-10 milyon yuan (yaklaşık $1.2 ila $1.5 milyon) arasında değişen sübvansiyonlar sağlamaktadır. En yeni nesil yüksek kapasiteli sistemlere ait olan bu reaktörlerin her biri tipik olarak yaklaşık $2.5 milyona mal olmaktadır.
MOCVD'yi Kim İcat Etti
Rockwell International şirketinde Harold Manasevit tarafından icat edilen MOCVD, Russell Dupuis 1975 yılında şirketin bir parçası olduğunda daha fazla keşif ve ilerleme için hazırdı.
MOCVD'de Bubbler Nedir?
MOCVD'deki bir fıskiye, metal organik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) sisteminin ayrılmaz bir parçası olan bir silindiri ifade eder. Bu cihazlar, elektronik sınıf metalorganik bileşikleri sıvı veya katı bir öncüden proseste kullanılabilecek bir buhar formuna taşımak için özel olarak tasarlanmıştır.
MOCVD'nin Büyüme Hızı Nedir?
Yüksek mobiliteye sahip metalorganik kimyasal buhar biriktirme (MOCVD) GaN filmleri için tipik büyüme hızları saatte 2 ila 3 μm arasında değişmektedir.
MOCVD'nin MBE'ye Göre Avantajları Nelerdir
MBE yüksek hassasiyeti ile bilinir, ancak yüksek bir fiyat etiketi ile birlikte gelir ve ultra yüksek vakum gerektirir. Öte yandan, MOCVD basınç altında çalışan daha uygun maliyetli bir seçenektir. Bununla birlikte, MOCVD'nin MBE ile aynı düzeyde hassasiyet sunamayabileceğini unutmamak önemlidir. Sonuç olarak, iki teknik arasındaki seçim, uygulamanın özel gereksinimlerine ve kaplanmış katmanlar üzerinde istenen kontrol seviyesine dayanmalıdır.
Turkish 
English 
German 
French 
Spanish 
Portuguese 
Korean 
Indonesian 
Russian 
Arabic 
Japanese 
Italian 
Dutch