MOCVD Nedir
MOCVD veya Metal Organik Kimyasal Buhar Depolama, aydınlatma endüstrisinde alt tabakalar üzerine ince malzeme filmleri kaplamak için kullanılan bir tekniktir. Bu süreç, bir reaktör odasında ısıtılarak buhar elde edilen metal organik öncüllerin kullanımını içerir. Oluşan buhar daha sonra bir yarı iletken alt tabaka ile reaksiyona girerek ince bir film oluşmasını sağlar. MOCVD; sıcaklık, basınç ve gaz akış hızları üzerinde hassas kontrol de dahil olmak üzere titizlikle kontrol edilen koşullar altında gerçekleştirilir.
İlginizi Çekebilecek Diğer Ürünler
- Voltaj: 2 Adet AAA Pil
- Gündüz/Gece Modu
- Zaman gecikmesi: 15dk, 30dk, 1sa (varsayılan), 2sa
- Kuru kontak röle çıkışlı, tavan tipi PIR varlık sensörü
- 12/24VDC veya 12/24VAC düşük voltaj güç beslemesi
- EMS, HVAC ve bina kontrol girdileri için COM, NO ve NC izole röle kontakları
- Düşük voltaj DC sıva altı tavan tipi mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 10-30 VDC aralığına sahip 12 VDC / 24 VDC giriş
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyet özelliklerine sahip maks. 10A çalışma akımı
- Yüksek yük kapasiteli sıva altı tavan tipi mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke voltajı girişi, 10A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyete sahip 5,8 GHz mikrodalga algılama
- Sıva altı tavana monte mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 5A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyete sahip 5,8 GHz mikrodalga algılama
- 220V güç için tavana monte RZ037 PIR varlık sensörlü dimmer
- 660W nominal yük ile 3A maksimum çalışma akımı
- LUX düğmesi, ışık sensörünün AÇIK/KAPALI konumunu ve kullanıcı tarafından ayarlanan dimmer parlaklığını kontrol eder
- 110V güç için tavana monte RZ037 PIR varlık sensörlü dimmer
- 330W nominal yük ile 3A maksimum çalışma akımı
- LUX düğmesi, ışık sensörünün AÇIK/KAPALI konumunu ve kullanıcı tarafından ayarlanan dimmer parlaklığını kontrol eder
- Düşük voltajlı DC tavan montajlı mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 10-30 VDC aralığına sahip 12 VDC / 24 VDC giriş
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyet özelliklerine sahip maks. 10A çalışma akımı
- Yüksek yüklü tavan montajlı mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke voltajı girişi, 10A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyete sahip 5,8 GHz mikrodalga algılama
- Tavan montajlı mikrodalga hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 5A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyete sahip 5,8 GHz mikrodalga algılama
- Düşük voltajlı DC sıva altı tavan montajlı PIR hareket sensörlü anahtar
- 10-30 VDC aralığına sahip 12 VDC / 24 VDC giriş
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyet ile maks. 10A çalışma akımı
- Yüksek yüklü sıva altı tavan montajlı PIR hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke voltajı girişi, 10A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyet ile 360 derece algılama
- Sıva altı tavan montajlı PIR hareket sensörlü anahtar
- 100-265 VAC şebeke gerilimi girişi, 5A model
- Ayarlanabilir zaman gecikmesi, Lüks eşiği ve hassasiyet ile 360 derece algılama
- İç mekan AÇMA/KAPAMA aydınlatma kontrolü için kablosuz anahtar ve alıcı seti
- 5A nominal akımlı 100-230VAC, 50/60Hz alıcı
- 2.4GHz haberleşmeli CR2032 pille çalışan kablosuz anahtar
- Varlık (Otomatik AÇMA/Otomatik KAPATMA)
- 12–24V DC (10–30VDC), 10A'e kadar
- 360° kapsama alanı, 8–12 m çap
- Zaman gecikmesi 15 sn–30 dk
- Işık sensörü Kapalı/15/25/35 Lux
- Yüksek/Düşük hassasiyet
- Otomatik AÇMA/Otomatik KAPATMA varlık modu
- 100–265V AC, 10A (nötr hattı gereklidir)
- 360° kapsama alanı; 8–12 m algılama çapı
- Zaman gecikmesi 15 sn–30 dk; Lux KAPALI/15/25/35; Hassasiyet Yüksek/Düşük
- Otomatik AÇMA/Otomatik KAPATMA varlık modu
- 100–265V AC, 5A (nötr hattı gereklidir)
- 360° kapsama alanı; 8–12 m algılama çapı
- Zaman gecikmesi 15 sn–30 dk; Lux KAPALI/15/25/35; Hassasiyet Yüksek/Düşük
Sıkça Sorulan Sorular
MOCVD sürecinde, ısıtılmış bir plaka (wafer), trimetilgalyum ve amonyak (TMGa, NH3) gibi ‘öncüller’ içeren bir gaz akışına maruz bırakılır. Bu öncüller, kaplanacak malzemeye bağlı olarak genellikle 400°C ile 1300°C arasında değişen sıcaklıklarda ısıtıldığında ayrışır.
CVD ile MOCVD Arasındaki Fark Nedir
Metal Organik Kimyasal Buhar Depolama (MOCVD), kimyasal buhar depolamanın (CVD) modifiye edilmiş bir versiyonudur [22,23]. Yüksek saflıkta kristal yarı iletken ince filmler ve mikro/nano yapılar üretmek için kullanılır.
MOCVD ile MOVPE Arasındaki Fark Nedir
MOVPE veya OMVPE olarak da adlandırılan MOCVD, silikon bir alt tabaka üzerinde III-V grubu yarı iletken malzemeleri büyütmek için yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir.
MOCVD'nin Avantajları Nelerdir
MOCVD, yüksek hassasiyetli üretim gerçekleştirme kabiliyetinin yanı sıra yüksek hacimlerde ince film depolama avantajı sunar. Bu büyük ölçekli üretim kapasitesi, diğer yöntemlere kıyasla daha hassastır. Ayrıca MOCVD esnek bir süreçtir ve alternatif süreçlerle karşılaştırıldığında daha ekonomik bir tercihtir.
MOCVD'nin Maliyeti Ne Kadardır
Birçok şirket, MOCVD reaktörlerinin satın alınması için 8-10 milyon yuan (yaklaşık $1.2 ila $1.5 milyon) arasında değişen sübvansiyonlar sağlamaktadır. En son nesil yüksek kapasiteli sistemlere ait olan bu reaktörlerin her biri genellikle yaklaşık $2.5 milyona mal olmaktadır.
Rockwell International şirketinde Harold Manasevit tarafından icat edilen MOCVD, Russell Dupuis'in 1975 yılında şirkete katılmasıyla daha fazla araştırılmaya ve geliştirilmeye hazır hale geldi.
MOCVD'de Bubbler (Köpürtücü) Nedir
MOCVD'de bubbler (köpürtücü), metal organik kimyasal buhar depolama (MOCVD) sisteminin ayrılmaz bir parçası olan bir silindiri ifade eder. Bu cihazlar, elektronik saflıktaki metalorganik bileşikleri sıvı veya katı bir öncüden süreçte kullanılabilecek buhar formuna taşımak üzere özel olarak tasarlanmıştır.
MOCVD'nin Büyüme Hızı Nedir
Yüksek hareketliliğe sahip metalorganik kimyasal buhar depolama (MOCVD) GaN filmleri için tipik büyüme hızları saatte 2 ila 3 μm arasında değişmektedir.
MOCVD'nin MBE'ye Göre Avantajları Nelerdir
MBE yüksek hassasiyeti ile tanınır, ancak yüksek bir maliyetle gelir ve ultra yüksek vakum gerektirir. Öte yandan MOCVD, basınç altında çalışan daha uygun maliyetli bir seçenektir. Ancak MOCVD'nin MBE ile aynı düzeyde hassasiyet sunamayabileceğini unutmamak önemlidir. Sonuç olarak, iki teknik arasındaki seçim, uygulamanın özel gereksinimlerine ve kaplanan katmanlar üzerinde istenen kontrol düzeyine dayalı olmalıdır.