O que é MOCVD

No processo de MOCVD, uma pastilha aquecida é exposta a um fluxo de gás contendo ‘precursors’ como trimetilgálio e amônia (TMGa, NH3). Esses precursores se decompõem quando aquecidos, geralmente a temperaturas que variam de 400°C a 1300°C, dependendo do material a ser depositado.

Deposição de Vapor Químico Orgânico Metalizado (MOCVD) é uma versão modificada da deposição de vapor químico (CVD) [22,23]. Ela é utilizada para produzir filmes finos cristalinos semicondutores de alta pureza e micro/nanoestruturas.

MOCVD, também conhecido como MOVPE ou OMVPE, é um método amplamente utilizado para o crescimento de materiais semicondutores do grupo III-V em um substrato de silício.

Além de sua capacidade de alcançar uma fabricação de alta precisão, o MOCVD oferece a vantagem de depositar filmes finos em grandes volumes. Essa capacidade de produção em larga escala é mais precisa em comparação com outros métodos. Além disso, o MOCVD é um processo flexível, tornando-se uma escolha mais econômica quando comparado a processos alternativos.

Muitas empresas oferecem subsídios que variam de 8 a 10 milhões de yuan (aproximadamente $1,2 a $1,5 milhões) para a compra de reatores MOCVD. Esses reatores, que pertencem à última geração de sistemas de alta capacidade, geralmente custam cerca de $2,5 milhões cada.

Inventado na empresa Rockwell International por Harold Manasevit, o MOCVD estava pronto para mais exploração e avanço quando Russell Dupuis passou a fazer parte da empresa em 1975.

Um bubbler no MOCVD refere-se a um cilindro que faz parte integrante do sistema de deposição de vapor químico organometálico (MOCVD). Esses dispositivos são especificamente projetados para transportar compostos metalorgânicos de grau eletrônico de um precursor líquido ou sólido para uma forma de vapor que pode ser utilizada no processo.

Taxas de crescimento típicas para filmes de GaN por deposição química de vapor orgânico-metalico (MOCVD) com altas mobilidades variam de 2 a 3 μm por hora.

O MBE é conhecido por sua alta precisão, mas vem com um preço elevado e requer um vácuo de ultra alta. Por outro lado, o MOCVD é uma opção mais econômica que opera sob pressão. No entanto, é importante notar que o MOCVD pode não oferecer o mesmo nível de precisão que o MBE. Em última análise, a escolha entre as duas técnicas deve ser baseada nos requisitos específicos da aplicação e no nível de controle desejado sobre as camadas revestidas.