Qué es el MOCVD

En el proceso MOCVD, una oblea calentada se expone a una corriente de gas que contiene "precursores" como el trimetilgalio y el amoníaco (TMGa, NH3). Estos precursores se descomponen al calentarse, normalmente a temperaturas que oscilan entre 400°C y 1300°C en función del material que se vaya a depositar.

El depósito químico orgánico en fase vapor de metales (MOCVD) es una versión modificada del depósito químico en fase vapor (CVD) [22,23]. Se utiliza para producir películas delgadas semiconductoras cristalinas de alta pureza y micro/nano estructuras.

El MOCVD, también denominado MOVPE u OMVPE, es un método ampliamente utilizado para el crecimiento de materiales semiconductores del grupo III-V sobre un sustrato de silicio.

Además de su capacidad para lograr una fabricación de alta precisión, el MOCVD ofrece la ventaja de depositar películas finas en grandes volúmenes. Esta capacidad de producción a gran escala es más precisa en comparación con otros métodos. Además, el MOCVD es un proceso flexible, por lo que resulta más económico que otros procesos alternativos.

Muchas empresas conceden subvenciones que oscilan entre 8 y 10 millones de yuanes (aproximadamente $1,2 y $1,5 millones) para la compra de reactores MOCVD. Estos reactores, que pertenecen a la última generación de sistemas de alta capacidad, suelen costar alrededor de $2,5 millones cada uno.

Inventado en la empresa Rockwell International por Harold Manasevit, el MOCVD estaba listo para seguir explorando y avanzando cuando Russell Dupuis entró a formar parte de la empresa en 1975.

Un burbujeador en MOCVD se refiere a un cilindro que forma parte integral del sistema de deposición química orgánica en fase vapor de metales (MOCVD). Estos dispositivos están diseñados específicamente para transportar compuestos metalorgánicos de grado electrónico desde un precursor líquido o sólido a una forma de vapor que pueda utilizarse en el proceso.

Las velocidades típicas de crecimiento de películas de GaN por deposición química en fase vapor metalorgánica (MOCVD) con altas movilidades oscilan entre 2 y 3 μm por hora.

La MBE es conocida por su gran precisión, pero tiene un precio elevado y requiere un vacío muy alto. Por otro lado, el MOCVD es una opción más rentable que funciona bajo presión. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el MOCVD puede no ofrecer el mismo nivel de precisión que el MBE. En última instancia, la elección entre ambas técnicas debe basarse en los requisitos específicos de la aplicación y el nivel de control deseado sobre las capas recubiertas.